货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.768774 | ¥19.77 |
10 | ¥17.791896 | ¥177.92 |
100 | ¥14.298624 | ¥1429.86 |
500 | ¥11.747861 | ¥5873.93 |
1000 | ¥9.73405 | ¥9734.05 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.8 A, 11.4 A
漏源电阻 11.5 mOhms, 18.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.8 nC, 11.6 nC
耗散功率 1.4 W, 2.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns, 11 ns
正向跨导(Min) 30 S, 31 S
上升时间 9 ns, 9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns, 31 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 13 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4816DY-T1-E3-S
单位重量 187 mg
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0SI4816BDY-T1-GE3
型号:SI4816BDY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.768774 |
10+: | ¥17.791896 |
100+: | ¥14.298624 |
500+: | ¥11.747861 |
1000+: | ¥9.73405 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.77