
货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ¥0.414855 | ¥1659.42 |
| 8000 | ¥0.396637 | ¥3173.10 |
| 12000 | ¥0.34304 | ¥4116.48 |
| 28000 | ¥0.336614 | ¥9425.19 |
| 100000 | ¥0.278713 | ¥27871.30 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 180 mA, 100 mA
漏源电阻 20 Ohms, 44 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
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0SSM6L35FE,LM
型号:SSM6L35FE,LM
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 4000+: | ¥0.414855 |
| 8000+: | ¥0.396637 |
| 12000+: | ¥0.34304 |
| 28000+: | ¥0.336614 |
| 100000+: | ¥0.278713 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00