货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.824082 | ¥2472.25 |
6000 | ¥0.789901 | ¥4739.41 |
9000 | ¥0.710869 | ¥6397.82 |
30000 | ¥0.700341 | ¥21010.23 |
75000 | ¥0.658227 | ¥49367.03 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 3.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 100 mS
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0BSS138DWQ-7
型号:BSS138DWQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.824082 |
6000+: | ¥0.789901 |
9000+: | ¥0.710869 |
30000+: | ¥0.700341 |
75000+: | ¥0.658227 |
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