
货期: 8周-10周
起订量:27
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 27 | ¥7.164629 | ¥193.44 |
| 50 | ¥7.164629 | ¥358.23 |
| 100 | ¥7.164629 | ¥716.46 |
| 300 | ¥7.028077 | ¥2108.42 |
| 500 | ¥6.959884 | ¥3479.94 |
| 1000 | ¥6.823331 | ¥6823.33 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7.4 A
漏源电阻 37 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7913DN-GE3
单位重量 1 g
购物车
0SI7913DN-T1-GE3
型号:SI7913DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 27+: | ¥7.164629 |
| 50+: | ¥7.164629 |
| 100+: | ¥7.164629 |
| 300+: | ¥7.028077 |
| 500+: | ¥6.959884 |
| 1000+: | ¥6.823331 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00