货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.859681 | ¥4.86 |
10 | ¥3.414238 | ¥34.14 |
100 | ¥1.722072 | ¥172.21 |
500 | ¥1.404574 | ¥702.29 |
1000 | ¥1.042091 | ¥1042.09 |
2000 | ¥0.876737 | ¥1753.47 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 180 mA, 100 mA
漏源电阻 20 Ohms, 44 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
购物车
0SSM6L35FE,LM
型号:SSM6L35FE,LM
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.859681 |
10+: | ¥3.414238 |
100+: | ¥1.722072 |
500+: | ¥1.404574 |
1000+: | ¥1.042091 |
2000+: | ¥0.876737 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.86