
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.57199 | ¥5.57 |
| 10 | ¥3.914681 | ¥39.15 |
| 100 | ¥1.974486 | ¥197.45 |
| 500 | ¥1.610449 | ¥805.22 |
| 1000 | ¥1.194835 | ¥1194.84 |
| 2000 | ¥1.005244 | ¥2010.49 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 180 mA, 100 mA
漏源电阻 20 Ohms, 44 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
购物车
0SSM6L35FE,LM
型号:SSM6L35FE,LM
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.57199 |
| 10+: | ¥3.914681 |
| 100+: | ¥1.974486 |
| 500+: | ¥1.610449 |
| 1000+: | ¥1.194835 |
| 2000+: | ¥1.005244 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.57