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SI7913DN-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7913DN-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
渠道:
digikey

库存 :1750

货期:(7~10天)

起订量:27

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
27 7.164848 193.45
50 7.164848 358.24
100 7.164848 716.48
300 7.028291 2108.49
500 6.960095 3480.05
1000 6.823538 6823.54

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 7.4 A

漏源电阻 37 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 24 nC

耗散功率 2.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

外形参数

高度 1.04 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7913DN-GE3

单位重量 1 g

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SI7913DN-T1-GE3

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型号:SI7913DN-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:1750 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

27+: ¥7.164848
50+: ¥7.164848
100+: ¥7.164848
300+: ¥7.028291
500+: ¥6.960095
1000+: ¥6.823538

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