NTJD4158CT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V, 20 V

漏极电流 250 mA, 880 mA

漏源电阻 1.5 Ohms, 500 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 800 mV, 450 mV

栅极电荷 900 pC, 2.2 nC

耗散功率 270 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 78 ns, 3.5 ns

正向跨导（Min） 0.08 S, 3 S

上升时间 66 ns, 6.5 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 56 ns, 13.5 ns

典型接通延迟时间 15 ns, 5.8 ns

高度 0.9 mm

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 7.500 mg