货期:(7~10天)
起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥1.541735 | ¥15417.35 |
30000 | ¥1.506198 | ¥45185.94 |
50000 | ¥1.467804 | ¥73390.20 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 220 mA, 200 mA
漏源电阻 2.3 Ohms, 5.1 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 380 pC, 350 pC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.5 ns, 8.7 ns
上升时间 2.2 ns, 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns, 18.8 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns, 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 270 mg
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0DMC31D5UDJ-7B
型号:DMC31D5UDJ-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
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10000+: | ¥1.541735 |
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