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SI4202DY-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI4202DY-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
渠道:
digikey

库存 :2291

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 16.572756 16.57
10 13.594644 135.95
100 10.571674 1057.17
500 8.960753 4480.38
1000 7.29949 7299.49

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 12.1 A

漏源电阻 14 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 17 nC

耗散功率 3.7 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 8 ns

正向跨导(Min) 33 S

上升时间 18 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 14 ns

典型接通延迟时间 11 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI4202DY-GE3

单位重量 750 mg

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SI4202DY-T1-GE3

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型号:SI4202DY-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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1+: ¥16.572756
10+: ¥13.594644
100+: ¥10.571674
500+: ¥8.960753
1000+: ¥7.29949

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