货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥5.0308 | ¥12577.00 |
5000 | ¥4.573454 | ¥22867.27 |
12500 | ¥4.362371 | ¥54529.64 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 Power MOSFET
典型关闭延迟时间 7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 99.500 mg
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0CSD86336Q3D
型号:CSD86336Q3D
品牌:TI
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥5.0308 |
5000+: | ¥4.573454 |
12500+: | ¥4.362371 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00