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IPB123N10N3GATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPB123N10N3GATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
渠道:
digikey

库存 :1457

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 29.292128 29.29
10 26.338607 263.39
100 21.175414 2117.54
500 17.397337 8698.67

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 58 A

漏源电阻 10.7 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 35 nC

耗散功率 94 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 5 ns

正向跨导(Min) 29 S

上升时间 8 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 24 ns

典型接通延迟时间 14 ns

外形参数

高度 4.4 mm

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPB123N10N3 G SP000485968

单位重量 4 g

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IPB123N10N3GATMA1

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型号:IPB123N10N3GATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:1457 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥29.292128
10+: ¥26.338607
100+: ¥21.175414
500+: ¥17.397337

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