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制造商 onsemi
产品 IGBT Silicon Modules
商标 onsemi / Fairchild
商标名 STEALTH
配置 3-Phase
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.13 V, 2.49 V
在25 C的连续集电极电流 30 A, 50 A
栅极—射极漏泄电流 2 uA, 2 uA
耗散功率 135 W, 174 W
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 Si
产品种类 IGBT 模块
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Modules
单位重量 45 g
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0FPF2C8P2NL07A
型号:FPF2C8P2NL07A
品牌:ON
供货:锐单
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