货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥3.657844 | ¥3.66 |
10 | ¥2.678579 | ¥26.79 |
30 | ¥2.505767 | ¥75.17 |
100 | ¥2.332956 | ¥233.30 |
500 | ¥2.24655 | ¥1123.28 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V, 30 V
漏极电流 400 mA, 2.6 A
漏源电阻 4 Ohms, 300 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV, 500 mV
栅极电荷 700 pC, 21 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.7 ns, 14.6 ns
上升时间 2.3 ns, 3.3 ns
典型关闭延迟时间 7.7 ns, 61.4 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMC25D0UVT-7
型号:DMC25D0UVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.657844 |
10+: | ¥2.678579 |
30+: | ¥2.505767 |
100+: | ¥2.332956 |
500+: | ¥2.24655 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.66