SH8J65TB1
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥4.70997 | ￥11774.93 |
| 5000 | ￥4.532903 | ￥22664.51 |
| 12500 | ￥4.382835 | ￥54785.44 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
正向跨导（Min） 6 S
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8J65TB1 同类别型号
注
SH8J65TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SH8J65TB1、查询SH8J65TB1代理商；
SH8J65TB1价格批发咨询客服；这里拥有
SH8J65TB1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SH8J65TB1
替代型号
、SH8J65TB1
数据手册PDF。
SH8J65TB1
型号：SH8J65TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥4.70997 |
| 5000+： | ￥4.532903 |
| 12500+： | ￥4.382835 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00