货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥5.760332 | ¥14400.83 |
5000 | ¥5.543778 | ¥27718.89 |
12500 | ¥5.360243 | ¥67003.04 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
正向跨导(Min) 6 S
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0SH8J65TB1
型号:SH8J65TB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥5.760332 |
5000+: | ¥5.543778 |
12500+: | ¥5.360243 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00