SH8J65TB1
库存 ：3351
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.34672 | ￥25.35 |
| 10 | ￥21.027865 | ￥210.28 |
| 100 | ￥16.733084 | ￥1673.31 |
| 500 | ￥14.158764 | ￥7079.38 |
| 1000 | ￥12.013496 | ￥12013.50 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
正向跨导（Min） 6 S
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8J65TB1 同类别型号
注
SH8J65TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8J65TB1
数据手册PDF。
SH8J65TB1
型号：SH8J65TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：3351 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.34672 |
| 10+： | ￥21.027865 |
| 100+： | ￥16.733084 |
| 500+： | ￥14.158764 |
| 1000+： | ￥12.013496 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.35