
货期: 8周-10周
起订量:10000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ¥1.218757 | ¥12187.57 |
| 30000 | ¥1.20307 | ¥36092.10 |
| 50000 | ¥1.022239 | ¥51111.95 |
| 100000 | ¥1.006408 | ¥100640.80 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 2.8 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 2.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 4.2 ns
典型接通延迟时间 0.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG2302UKQ-13
型号:DMG2302UKQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 10000+: | ¥1.218757 |
| 30000+: | ¥1.20307 |
| 50000+: | ¥1.022239 |
| 100000+: | ¥1.006408 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00