SH8K4TB1
库存 ：1556
货期：（7~10天）
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥1.827524 | ￥91.38 |
| 100 | ￥1.675121 | ￥167.51 |
| 1000 | ￥1.599001 | ￥1599.00 |
| 3000 | ￥1.522882 | ￥4568.65 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 22 ns
正向跨导（Min） 7 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8K4TB1 同类别型号
注
SH8K4TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8K4TB1
数据手册PDF。
SH8K4TB1
型号：SH8K4TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1556 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥1.827524 |
| 100+： | ￥1.675121 |
| 1000+： | ￥1.599001 |
| 3000+： | ￥1.522882 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00