VT6J1T2CR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：8000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 8000 | ￥0.612786 | ￥4902.29 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 40 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 137 ns, 137 ns
上升时间 62 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 325 ns
典型接通延迟时间 46 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 VT6J1
VT6J1T2CR 同类别型号
注
VT6J1T2CR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、VT6J1T2CR
数据手册PDF。
VT6J1T2CR
型号：VT6J1T2CR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 8000+： | ￥0.612786 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00