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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 IXYS
商标名 TrenchT2
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 53 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 180 W
配置 Dual
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 75 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 21.34 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET
单位重量 6.500 g
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0FMM110-015X2F
型号:FMM110-015X2F
品牌:IXYS
供货:锐单
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