SP8M51FRATB

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 3 A, 2.5 A

漏源电阻 120 mOhms, 210 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 8.5 nC, 12.5 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 14 ns, 19 ns

上升时间 13 ns, 13 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 50 ns, 75 ns

典型接通延迟时间 13 ns, 15 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 SP8M51FRA

单位重量 83 mg