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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 1100 V
饱和电压 2.7 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
耗散功率 300 W
栅极—射极漏泄电流 500 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.401 g
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0FGA50S110P
型号:FGA50S110P
品牌:ON
供货:锐单
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