SH8KA7GZETB
库存 ：2223
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.375737 | ￥23.38 |
| 10 | ￥21.023997 | ￥210.24 |
| 25 | ￥19.83396 | ￥495.85 |
| 100 | ￥15.470488 | ￥1547.05 |
| 250 | ￥15.073809 | ￥3768.45 |
| 500 | ￥13.090413 | ￥6545.21 |
| 1000 | ￥11.107017 | ￥11107.02 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 81 nC
耗散功率 4.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 58 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8KA7
单位重量 83 mg
SH8KA7GZETB 同类别型号
注
SH8KA7GZETB
型号：SH8KA7GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2223 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.375737 |
| 10+： | ￥21.023997 |
| 25+： | ￥19.83396 |
| 100+： | ￥15.470488 |
| 250+： | ￥15.073809 |
| 500+： | ￥13.090413 |
| 1000+： | ￥11.107017 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.38