货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.84348 | ¥2530.44 |
6000 | ¥0.808435 | ¥4850.61 |
9000 | ¥0.727598 | ¥6548.38 |
30000 | ¥0.716781 | ¥21503.43 |
75000 | ¥0.673731 | ¥50529.82 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.1 A
漏源电阻 235 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 2 nC
耗散功率 420 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1902CDL-T1-BE3 SI1958DH-T1-GE3
单位重量 28 mg
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0SI1902CDL-T1-GE3
型号:SI1902CDL-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.84348 |
6000+: | ¥0.808435 |
9000+: | ¥0.727598 |
30000+: | ¥0.716781 |
75000+: | ¥0.673731 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00