IPB26CNE8N G
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- 制造商编号：
- IPB26CNE8N G
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.315004 | ￥25.32 |
| 10 | ￥21.921499 | ￥219.21 |
| 30 | ￥21.3014 | ￥639.04 |
| 100 | ￥20.681302 | ￥2068.13 |
| 500 | ￥20.401917 | ￥10200.96 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB26CNE8N G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
85V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
26mOhm @ 35A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 39µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
31nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2070pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB26CNE8N G 同类别型号
注
IPB26CNE8N G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPB26CNE8N G
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。
IPB26CNE8N G
型号：IPB26CNE8N G
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.315004 |
| 10+： | ￥21.921499 |
| 30+： | ￥21.3014 |
| 100+： | ￥20.681302 |
| 500+： | ￥20.401917 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.32