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制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 4.4 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 22.6 us, 22.6 us
正向跨导(Min) 4 S, 4 S
上升时间 170 ns, 170 ns
晶体管类型 2 N-channel
典型关闭延迟时间 17.5 us, 17.5 us
典型接通延迟时间 120 ns, 120 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0EMH2418R-TL-H
型号:EMH2418R-TL-H
品牌:ON
供货:锐单
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