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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.500111 | ¥4.50 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 3.1 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18.2 ns
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0IPS65R1K5CEAKMA1
型号:IPS65R1K5CEAKMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.500111 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.50