货期:(7~10天)
起订量:43
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
43 | ¥3.868242 | ¥166.33 |
50 | ¥3.570574 | ¥178.53 |
100 | ¥3.27305 | ¥327.31 |
300 | ¥3.27305 | ¥981.91 |
500 | ¥3.27305 | ¥1636.53 |
1000 | ¥2.975526 | ¥2975.53 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.1 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.7 ns
上升时间 3.1 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
购物车
0ZXMN3G32DN8TA
型号:ZXMN3G32DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
43+: | ¥3.868242 |
50+: | ¥3.570574 |
100+: | ¥3.27305 |
300+: | ¥3.27305 |
500+: | ¥3.27305 |
1000+: | ¥2.975526 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00