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制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1250 V
饱和电压 2 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
耗散功率 250 W
栅极—射极漏泄电流 500 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGA20S125P_SN00336
单位重量 6.400 g
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0FGA20S125P-SN00336
型号:FGA20S125P-SN00336
品牌:ON
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