DMN1029UFDB-7
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- 制造商编号：
- DMN1029UFDB-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：131091
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.682043 | ￥5.68 |
| 10 | ￥4.604822 | ￥46.05 |
| 100 | ￥3.134593 | ￥313.46 |
| 500 | ￥2.350709 | ￥1175.35 |
| 1000 | ￥1.762973 | ￥1762.97 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.6 A
漏源电阻 29 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.1 ns
上升时间 10.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16.6 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMN1029UFDB-7 同类别型号
注
DMN1029UFDB-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN1029UFDB-7
数据手册PDF
。
DMN1029UFDB-7
型号：DMN1029UFDB-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：131091 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.682043 |
| 10+： | ￥4.604822 |
| 100+： | ￥3.134593 |
| 500+： | ￥2.350709 |
| 1000+： | ￥1.762973 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.68