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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A, 7 A
漏源电阻 21 mOhms, 20 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.2 nC, 25 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns, 70 ns
上升时间 21 ns, 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns, 110 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP8M5FRA
单位重量 83 mg
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0SP8M5FRATB
型号:SP8M5FRATB
品牌:ROHM
供货:锐单
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