CSD87313DMS
库存 ：1561
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 28 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns, 13 ns
正向跨导（Min） 149 S, 149 S
上升时间 27 ns, 27 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns, 41 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 5.500 mg
CSD87313DMS 相关产品
CSD87313DMS 同类别型号
注
CSD87313DMS品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购CSD87313DMS、查询CSD87313DMS代理商；
CSD87313DMS价格批发咨询客服；这里拥有
CSD87313DMS中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到CSD87313DMS
替代型号
、CSD87313DMS
数据手册PDF
。
CSD87313DMS
型号：CSD87313DMS
品牌：TI
供货：锐单
库存：1561 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00