货期:(7~10天)
起订量:43
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数量 | 价格 | 总计 |
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43 | ¥3.868242 | ¥166.33 |
50 | ¥3.570574 | ¥178.53 |
100 | ¥3.27305 | ¥327.31 |
300 | ¥3.27305 | ¥981.91 |
500 | ¥3.27305 | ¥1636.53 |
1000 | ¥2.975526 | ¥2975.53 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 35 V
漏极电流 5.3 A, 5 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 18.7 nC
耗散功率 1.54 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 35.6 ns
正向跨导(Min) 4.5 S
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 33.2 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMG4511SK4-13
型号:DMG4511SK4-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
43+: | ¥3.868242 |
50+: | ¥3.570574 |
100+: | ¥3.27305 |
300+: | ¥3.27305 |
500+: | ¥3.27305 |
1000+: | ¥2.975526 |
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