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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 10.8 A
漏源电阻 390 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 16.15 mm
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPA80R460CE SP001271070
单位重量 2 g
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0IPA80R460CEXKSA1
型号:IPA80R460CEXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
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