货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 15.3 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.6 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 6.6 ns
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPS65R1K0CE SP001276048
单位重量 340 mg
购物车
0IPS65R1K0CEAKMA1
型号:IPS65R1K0CEAKMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00