商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A, 13A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
21mOhm @ 8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
710pF @ 15V
供应商器件封装
8-DFN-EP (3.3x3.3)