SQ1912EH-T1_GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQ1912EH-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：5330
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.772769 | ￥5.77 |
| 10 | ￥4.629534 | ￥46.30 |
| 100 | ￥3.15578 | ￥315.58 |
| 500 | ￥2.366609 | ￥1183.30 |
| 1000 | ￥1.775071 | ￥1775.07 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 200 mOhms, 200 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.15 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 17 ns
正向跨导（Min） 2.6 S, 2.6 S
上升时间 21 ns, 21 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
SQ1912EH-T1_GE3 同类别型号
注
SQ1912EH-T1_GE3
型号：SQ1912EH-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：5330 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.772769 |
| 10+： | ￥4.629534 |
| 100+： | ￥3.15578 |
| 500+： | ￥2.366609 |
| 1000+： | ￥1.775071 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.77