EPC2108
库存 ：1124
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.879211 | ￥21.88 |
| 10 | ￥18.149801 | ￥181.50 |
| 100 | ￥14.445252 | ￥1444.53 |
| 500 | ￥12.223021 | ￥6111.51 |
| 1000 | ￥10.370995 | ￥10371.00 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2108
制造商
EPS
商品描述
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
60V, 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.7A, 500mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
9-VFBGA
供应商器件封装
9-BGA (1.35x1.35)
EPC2108 相关产品
EPC2108 同类别型号
注
EPC2108
型号：EPC2108
品牌：EPS
供货：锐单
库存：1124 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.879211 |
| 10+： | ￥18.149801 |
| 100+： | ￥14.445252 |
| 500+： | ￥12.223021 |
| 1000+： | ￥10.370995 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.88