
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.998089 | ¥11.00 |
| 10 | ¥9.71277 | ¥97.13 |
| 100 | ¥7.449548 | ¥744.95 |
| 500 | ¥5.888615 | ¥2944.31 |
| 1000 | ¥4.710892 | ¥4710.89 |
| 2000 | ¥4.269247 | ¥8538.49 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 165 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 P-Channel
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF9953TRPBF SP001555962
单位重量 540 mg
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0IRF9953TRPBF
型号:IRF9953TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.998089 |
| 10+: | ¥9.71277 |
| 100+: | ¥7.449548 |
| 500+: | ¥5.888615 |
| 1000+: | ¥4.710892 |
| 2000+: | ¥4.269247 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.00