
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.660323 | ¥5.66 |
| 10 | ¥3.487983 | ¥34.88 |
| 100 | ¥2.187638 | ¥218.76 |
| 500 | ¥1.624972 | ¥812.49 |
| 1000 | ¥1.442772 | ¥1442.77 |
| 2000 | ¥1.289332 | ¥2578.66 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 500 mA, 330 mA
漏源电阻 460 mOhms, 950 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V, - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV, 1 V
栅极电荷 1.23 nC, 1.2 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns, 200 ns
典型接通延迟时间 30 ns, 90 ns
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
购物车
0SSM6L36FE,LM
型号:SSM6L36FE,LM
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.660323 |
| 10+: | ¥3.487983 |
| 100+: | ¥2.187638 |
| 500+: | ¥1.624972 |
| 1000+: | ¥1.442772 |
| 2000+: | ¥1.289332 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.66