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制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 RF JFET
晶体管类型 JFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
栅源极击穿电压 - 25 V
漏极电流 10 mA
漏极/栅极电压(Max) 25 V
耗散功率 225 mW
配置 Single
正向跨导(Min) 0.0035 S to 0.007 S
闸/源截止电压 - 4 V
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF JFET Transistors
类型 JFET
单位重量 8 mg
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0MMBF5485
型号:MMBF5485
品牌:ON
供货:锐单
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