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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.946702 | ¥2840.11 |
6000 | ¥0.907414 | ¥5444.48 |
9000 | ¥0.816644 | ¥7349.80 |
30000 | ¥0.804594 | ¥24137.82 |
75000 | ¥0.756179 | ¥56713.43 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 304 pC
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN601DWK-7
型号:DMN601DWK-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.946702 |
6000+: | ¥0.907414 |
9000+: | ¥0.816644 |
30000+: | ¥0.804594 |
75000+: | ¥0.756179 |
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