EFC6605R-TR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.604555 | ￥1.60 |
| 200 | ￥0.620984 | ￥124.20 |
| 500 | ￥0.599111 | ￥299.56 |
| 1000 | ￥0.588344 | ￥588.34 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 13.3 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 19.8 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 60800 ns
上升时间 678 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 44400 ns
典型接通延迟时间 154 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 66 mg
EFC6605R-TR 同类别型号
注
EFC6605R-TR品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EFC6605R-TR
数据手册PDF。
EFC6605R-TR
型号：EFC6605R-TR
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.604555 |
| 200+： | ￥0.620984 |
| 500+： | ￥0.599111 |
| 1000+： | ￥0.588344 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.60