
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.922372 | ¥6.92 |
| 10 | ¥5.396625 | ¥53.97 |
| 100 | ¥3.236563 | ¥323.66 |
| 500 | ¥2.996399 | ¥1498.20 |
| 1000 | ¥2.03758 | ¥2037.58 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 304 pC
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN601DWK-7
型号:DMN601DWK-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.922372 |
| 10+: | ¥5.396625 |
| 100+: | ¥3.236563 |
| 500+: | ¥2.996399 |
| 1000+: | ¥2.03758 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.92