货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.390994 | ¥3.39 |
200 | ¥1.31236 | ¥262.47 |
500 | ¥1.266132 | ¥633.07 |
1000 | ¥1.243379 | ¥1243.38 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 13.3 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 19.8 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 60800 ns
上升时间 678 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 44400 ns
典型接通延迟时间 154 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 66 mg
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0EFC6605R-TR
型号:EFC6605R-TR
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.390994 |
200+: | ¥1.31236 |
500+: | ¥1.266132 |
1000+: | ¥1.243379 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.39