SH8K39GZETB

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 8 A

漏源电阻 21 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.3 V

栅极电荷 25 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 15 ns

上升时间 8 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 46 ns

典型接通延迟时间 15.6 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SH8K39

单位重量 83 mg