TT8M1TR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.306148 | ￥3918.44 |
| 6000 | ￥1.239734 | ￥7438.40 |
| 9000 | ￥1.151181 | ￥10360.63 |
| 30000 | ￥1.124586 | ￥33737.58 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 52 mOhms, 49 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV, 1 V
栅极电荷 3.6 nC, 12 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 85 ns
上升时间 17 ns, 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns, 120 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TT8M1
单位重量 56.165 mg
TT8M1TR 同类别型号
注
TT8M1TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TT8M1TR
数据手册PDF。
TT8M1TR
型号：TT8M1TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.306148 |
| 6000+： | ￥1.239734 |
| 9000+： | ￥1.151181 |
| 30000+： | ￥1.124586 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00