货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.691391 | ¥6.69 |
10 | ¥5.719244 | ¥57.19 |
100 | ¥3.978222 | ¥397.82 |
500 | ¥3.10632 | ¥1553.16 |
1000 | ¥2.524801 | ¥2524.80 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 52 mOhms, 49 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV, 1 V
栅极电荷 3.6 nC, 12 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 85 ns
上升时间 17 ns, 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns, 120 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TT8M1
单位重量 56.165 mg
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0TT8M1TR
型号:TT8M1TR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.691391 |
10+: | ¥5.719244 |
100+: | ¥3.978222 |
500+: | ¥3.10632 |
1000+: | ¥2.524801 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.69