SH8K39GZETB
库存 ：2499
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.117283 | ￥22.12 |
| 10 | ￥19.843774 | ￥198.44 |
| 25 | ￥18.721847 | ￥468.05 |
| 100 | ￥14.601113 | ￥1460.11 |
| 250 | ￥14.226726 | ￥3556.68 |
| 500 | ￥12.354788 | ￥6177.39 |
| 1000 | ￥10.482851 | ￥10482.85 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 15.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8K39
单位重量 83 mg
SH8K39GZETB 同类别型号
注
SH8K39GZETB
型号：SH8K39GZETB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2499 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.117283 |
| 10+： | ￥19.843774 |
| 25+： | ￥18.721847 |
| 100+： | ￥14.601113 |
| 250+： | ￥14.226726 |
| 500+： | ￥12.354788 |
| 1000+： | ￥10.482851 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.12