货期:国内(1~3工作日)
起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10000 | ¥0.615228 | ¥6152.28 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 1.677 nC
耗散功率 1.35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.4 ns
上升时间 2.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.8 ns
典型接通延迟时间 3.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.600 mg
购物车
0DMN3060LCA3-7
型号:DMN3060LCA3-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.615228 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00