TT8M3TR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

产品 MOSFET

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 2.5 A, 2.4 A

漏源电阻 140 mOhms, 360 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 3.6 nC, 6.7 nC

耗散功率 1.25 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 17 ns, 45 ns

正向跨导（Min） 2.7 S, 2.4 S

上升时间 17 ns, 25 ns

典型关闭延迟时间 28 ns, 55 ns

典型接通延迟时间 9 ns, 9 ns

高度 0.8 mm

长度 3 mm

宽度 1.6 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Power MOSFET

零件号别名 TT8M3

单位重量 56.165 mg